收藏本站
IRF530NS/IRF530NL
1600
1200
Ciss
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 9.0A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
12
800
400
Coss
Crss
8
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30
40
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
T J = 175 ° C
10
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
1
10
1
100μsec
1msec
T J = 25 ° C
Tc = 25°C
Tj = 175°C
10msec
0.1
V GS = 0 V
0.1
Single Pulse
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRF530STRLPBF MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
IRF540NL MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
IRF540STRR MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF5800TRPBF MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
IRF5804TRPBF MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
IRF6100PBF MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
IRF6100 MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
IRF6215L MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
相关代理商/技术参数
IRF530NLHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262
IRF530NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 100V, 17A, 90 MOHM, 24.7 NC QG, TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
IRF530NLPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF530NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530NS 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF530NSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF530NSPBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530NSTRL 制造商:International Rectifier 功能描述: